Çin'in YMTC'si Yeni Nesil Xtacking 4.0 NAND Tech'e Hazırlanıyor - Dünyadan Güncel Teknoloji Haberleri

Çin'in YMTC'si Yeni Nesil Xtacking 4.0 NAND Tech'e Hazırlanıyor - Dünyadan Güncel Teknoloji Haberleri

Çin’in Yangtze Memory Technology Corp’u, şirkete yönelik ağır yaptırımlara rağmen yeni nesil 3D NAND bellek mimarisini (Xtacking 4

YMTC’nin şirketin şu ana kadar sektördeki bazı meslektaşlarına açıkladığı Xtacking 4 0 128 ? 2x64L ? G5 X4-9060 TLC Xtacking 4 0 64 73 – – G3 X2-6070 QLC Xtacking 2 0 cihazıyla katman sayısını artırma planı yok ancak aile zamanla genişleyebilir

ABD, Hollanda ve Japon hükümetlerinin dayattığı kurallara göre, levha fabrikası ekipmanı üreticilerinin, 128 veya daha fazla katmana sahip 3D NAND yapımında kullanılabilecek ekipmanı satmak için ihracat lisansı alması gerekiyor 0 128 ? 2x64L ? G5 X4-9070 TLC Xtacking 4 0 ürün ailesi, çipin CMOS kısmı için (CuA’ya benzer, ancak ayrı bir kalıpla) daha eski bir işlem düğümü kullanan hibrit bağlamayla birleştirilmiş dizi istiflemeyi kullanıyor 0 serisi, en sonunda en iyi SSD’lerden bazılarını oluşturmak için kullanılabilecek 128 katmanlı X4-9060 3D TLC ve 232 katmanlı X4-9070 3D TLC NAND cihazlarını içeriyor Şirketin ciddi kısıtlamalarla karşı karşıya olduğu ve ihtiyaç duyduğu tüm araçları elde edemediği göz önüne alındığında, Xtacking 4 0) hazırlıyor 0 ailesini daha ucuz 128 katmanlı 3D TLC ve 232 katmanlı 3D QLC teklifleriyle genişletti 0 128 141 2x64L L69+U72 G4 X3-9070 TLC Xtacking 3 0 192/196 196 ? ? G4 X3-9060 TLC Xtacking 3

yapımı daha kolay ve ABD hükümetinin Çin için belirlediği kısıtlamalara uygun

Yatay kaydırmak için kaydırın
Nesil Modeli Organizasyon Mimari Aktif Katmanlar Toplam Katmanlar Dize İstifleme Dize Yığınlama (Toplam Katmanlar)
G1 X0-A030 MLC Geleneksel 32 39
G2 X1-9050 TLC Xtacking 1 0 mimarisine sahip 232 katmanlı 3D TLC NAND belleğini yüksek hacimlerde üretiyor ve yakın zamanda Xtacking 3 Herhangi bir yarı iletkende olduğu gibi, daha sıkı ayarlanmış bir değişken de daha iyi verimler sunabilir 0 64 73
G3 X2-9060 TLC Xtacking 1

Teknik olarak dize istifleme, kendi başına bir levha bağlama tekniği değildir, ancak üretim açısından bakıldığında, bir levha üzerinde başka bir 3D NAND dizisinin üstüne bir 3D NAND dizisi oluşturmak, iki ayrı levha üzerinde iki 3D NAND dizisi üretmeye benzer Makul ilerlemeler arasında paralelliği artırmak için düzlem sayısının artırılması ve gecikmeyi iyileştirmek için bit hattı/kelime satırı optimizasyonları yer alabilir 0

232 253 2x116L L128+U125
G4 X3-6070 QLC Xtacking 3 Bu nedenle, ekipman üreticileri bunu Çinli kuruluşlara levha fabrikası araçları tedarik etmek için başka bir boşluk olarak kullanıyor olabilir 0 128 141 2x64L L69+U72
G4 Ölçek Xtacking 3 Tom’un Donanımı 0 belleğinin tam olarak ne gibi avantajlar getireceği belli değil, ancak tipik olarak Yangtze Bellek, her yeni düğümle birlikte veri aktarım hızlarını ve depolama yoğunluğunu artırdı 0 232 ? 2x116L ?

YMTC’nin Xtacking 4 Yani teknik olarak, 64 ve 116 aktif katmana sahip 3D NAND dizileri üretecek ve bu da levha fabrikası ekipmanı üreticilerinin ABD ihracat kurallarını doğrudan ihlal etmeden (ABD Ticaret Bakanlığı’ndan ihracat lisansı aldıkları sürece) gerekli araçları sağlamaya devam etmelerini sağlayacak Bu arada, iki veya daha fazla gofretin üst üste 128’den az katmanla istiflenmesi konusunda resmi bir sınırlama yok gibi görünüyor Şirketin Xtacking 3 ) 0 bir şekilde bu sınırlamaların üstesinden gelebilir

YMTC, bir yılı aşkın süredir Xtacking 3 Şirket her ikisi için de dize istiflemeyi kullanmayı planlıyor Şirketin şu anda geliştirilmekte olan iki Xtacking 4